RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
46
63
Wokół strony 27% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
14.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.7
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
3200
Wokół strony 8 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
63
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
12.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
25600
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
2543
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston KHX3600C18D4/32GX 32GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
Kingston 9905678-110.A00G 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Kingston 9965662-008.A01G 16GB
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link