RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Kingston 9905678-026.A00G 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB vs Kingston 9905678-026.A00G 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Wynik ogólny
Kingston 9905678-026.A00G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston 9905678-026.A00G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
65
Wokół strony -124% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.3
2,451.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Kingston 9905678-026.A00G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
29
Prędkość odczytu, GB/s
4,605.9
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,451.8
8.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
878
2171
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Kingston 9905678-026.A00G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Kingston 9905701-022.A00G 16GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston 9905744-023.A00G 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link