RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,168.2
12.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
60
Wokół strony -107% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
29
Prędkość odczytu, GB/s
4,595.2
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,168.2
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
941
3086
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K73DH0-CK0 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9905678-027.A00G 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905702-184.A00G 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905734-082.A00G 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link