RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,168.2
11.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
60
Wokół strony -82% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
33
Prędkość odczytu, GB/s
4,595.2
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,168.2
11.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
941
2919
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Super Talent F24EA8GS 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9905678-027.A00G 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link