RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,784.6
10.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
65
Wokół strony -103% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
32
Prędkość odczytu, GB/s
4,806.8
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,784.6
10.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
932
2667
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Corsair CMT32GX4M4K4000C19 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905622-075.A00G 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Apacer Technology 78.CAGQE.C750B 8GB
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link