RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
13.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
65
Wokół strony -81% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.8
2,784.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
36
Prędkość odczytu, GB/s
4,806.8
13.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,784.6
9.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
932
2358
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Nanya Technology NT2GC64B88G0NS-DI 2GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston 9905598-006.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link