RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,784.6
15.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
65
Wokół strony -103% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
32
Prędkość odczytu, GB/s
4,806.8
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,784.6
15.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
932
3469
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Samsung M393B1K73DH0-CK0 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link