RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Wynik ogólny
Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,784.6
13.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
65
Wokół strony -110% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
31
Prędkość odczytu, GB/s
4,806.8
17.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,784.6
13.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
932
3158
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link