RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Wynik ogólny
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
10.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
65
Wokół strony -103% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.5
2,784.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
32
Prędkość odczytu, GB/s
4,806.8
10.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,784.6
8.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
932
2349
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston KP4T2F-MIN 4GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905712-048.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link