RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
Porównaj
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB vs Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
19
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
52
Wokół strony -148% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.6
1,906.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
52
21
Prędkość odczytu, GB/s
4,672.4
19.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,906.4
13.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
698
3278
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 91T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung M3 78T2953GZ3-CF7 1GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
AMD AE34G1601U1 4GB
Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link