RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Porównaj
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
69
Wokół strony 52% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.6
13.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
6.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
69
Prędkość odczytu, GB/s
17.6
13.6
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
6.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2910
1598
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB Porównanie pamięci RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
Corsair CMZ8GX3M2A1600C9G 4GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Kingston 9905622-025.A00G 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link