RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
Porównaj
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
33
Wokół strony -32% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20
17.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.0
12.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
25
Prędkość odczytu, GB/s
17.6
20.0
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
16.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2910
3771
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Kingston 9965525-058.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston HP26D4U9D8HC-16X 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CM4X8GF2133C13K4 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link