RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Porównaj
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
37
Wokół strony -16% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.7
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.3
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
32
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
11.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
2854
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MH78HAF-2666 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Super Talent F24UB16GV 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link