Porównanie pamięci RAM Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB

Wynik ogólny

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Wynik ogólny

Różnice Specyfikacje Uwagi

Powody do rozważenia
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Powody do rozważenia
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

26 28

Wokół strony -8% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s

15.6 12.7

Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s

11.6 7.5

Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps

19200 8500

Wokół strony 2.26 większa szerokość pasma

Pełna lista specyfikacji technicznych

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB

Główna charakterystyka

Other

Opis

PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Taktowanie / szybkość zegara

7-7-7-20 / 1066 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

1988 2808

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns