RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Porównaj
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
28
Wokół strony -47% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.1
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.8
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
8500
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
19
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
19.1
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
14.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
17000
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1988
2994
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Essencore Limited KD48GS88A-26N1600 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905702-002.A00G 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Apacer Technology 78.D2GF2.4010B 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link