RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Porównaj
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
28
Wokół strony -33% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.6
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.4
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
8500
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
21
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
18.6
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
14.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
17000
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1988
3077
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston HX316C10F/4 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Kingston 9905744-076.A00G 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kingston 9905598-006.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMW64GX4M4E3200C16 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
MDT Technologies GmbH MDT 512M DDR2-66 512MB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link