RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Porównaj
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
29
Wokół strony 3% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.5
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.4
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
8500
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
29
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
18.5
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
14.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
17000
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1988
3457
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KF556C40-16 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link