RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
Porównaj
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
31
Wokół strony 10% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.2
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.7
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
8500
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
31
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
15.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
17000
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1988
3652
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3466C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link