RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Porównaj
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
28
Wokół strony -27% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
21
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.7
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
8500
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
22
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
21.0
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
17.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
17000
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1988
3987
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Apacer Technology D22.2221ZA.001 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Ramaxel Technology RMUA5180ME78HBF-2666 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905744-023.A00G 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston CBD24D4S7D8MB-16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link