RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Porównaj
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
35
Wokół strony -52% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
14.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
23
Prędkość odczytu, GB/s
14.4
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
12.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2321
2795
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston K000MD44U 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Apacer Technology 78.CAGPN.AZ50C 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link