RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Porównaj
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
35
Wokół strony -30% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.4
14.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.1
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
27
Prędkość odczytu, GB/s
14.4
18.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
15.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2321
3711
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMR16GX4M2D3200C16 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMR64GX4M4A2666C16 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMD32GX4M4B3333C16 8GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link