RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
Porównaj
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs AMD R7416G2133U2S 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Wynik ogólny
AMD R7416G2133U2S 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
56
78
Wokół strony 28% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
13.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
AMD R7416G2133U2S 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.7
1,813.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
56
78
Prędkość odczytu, GB/s
4,387.7
13.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,813.5
6.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
693
1594
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
AMD R7416G2133U2S 16GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFT 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.DFW0C 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link