RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
Porównaj
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
56
Wokół strony -75% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.7
1,813.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
56
32
Prędkość odczytu, GB/s
4,387.7
18.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,813.5
12.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
693
2858
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FA 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link