RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Porównaj
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
56
Wokół strony -70% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.3
1,813.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
56
33
Prędkość odczytu, GB/s
4,387.7
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,813.5
10.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
693
2478
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Corsair CMU64GX4M4A2666C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link