RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Porównaj
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
20.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
56
Wokół strony -93% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.9
1,813.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
56
29
Prędkość odczytu, GB/s
4,387.7
20.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,813.5
16.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
693
3901
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB
Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9965589-024.D01G 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
A-DATA Technology AO1P24HCST2-BSCS 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link