RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Porównaj
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Wynik ogólny
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
14.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
56
Wokół strony -44% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.1
1,813.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
56
39
Prędkość odczytu, GB/s
4,387.7
14.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,813.5
10.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
693
2513
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB Porównanie pamięci RAM
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
INTENSO M418039 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD1 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Super Talent F26UB16GH 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link