RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
64
Wokół strony 59% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
8.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17
12.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
64
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
8.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
2103
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Apacer Technology 78.BAGP4.AR50C 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link