RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
Porównaj
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
29
Wokół strony 3% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.6
13.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.8
8.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
29
Prędkość odczytu, GB/s
13.3
18.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
14.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2213
3480
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905734-073.A00G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213382 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link