RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Porównaj
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
28
Wokół strony -22% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.5
13.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.7
8.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
23
Prędkość odczytu, GB/s
13.3
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
12.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2213
2790
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9905624-023.A00G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK64GX4M4A2133C13 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Mushkin 991586 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link