RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Porównaj
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Wynik ogólny
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
49
Wokół strony -113% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
10.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
8.7
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
23
Prędkość odczytu, GB/s
10.9
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.7
12.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
17000
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2427
2795
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
INTENSO 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMR64GX4M4C3466C16 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD32G133381 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 160C0 V3 Series 8GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-8G 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link