RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Porównaj
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
17
51
Wokół strony -200% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
22
9.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.0
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
17
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
22.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
17.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2208
3731
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston KMKYF9-MIH 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Corsair CMZ8GX3M1A1600C10 8GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C16 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link