RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Porównaj
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
44
49
Wokół strony 10% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
11.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.2
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
49
Prędkość odczytu, GB/s
11.2
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2293
2589
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Porównanie pamięci RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6AFR8A
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link