RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB
Porównaj
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Wynik ogólny
Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
49
Wokół strony -81% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.1
10.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.2
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
27
Prędkość odczytu, GB/s
10.1
17.1
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
13.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2070
3350
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KF560C40-16 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link