RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
54
Wokół strony -69% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.5
9.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
32
Prędkość odczytu, GB/s
9.2
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2105
2974
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9905700-072.A01G 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Kingston 9905403-02X.B00LF 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link