RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
54
Wokół strony -100% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.4
9.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.9
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
27
Prędkość odczytu, GB/s
9.2
19.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
16.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2105
3929
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston 9905711-032.A00G 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link