RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
17
27
Wokół strony -59% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
21.6
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.7
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
17
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
21.6
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
17.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2057
3702
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Ramaxel Technology RMUA5110MH78HAF-2666 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
A-DATA Technology 11137401 8GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link