RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Porównaj
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
42
Wokół strony -91% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
21
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.7
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
22
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
21.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
17.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
3987
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Kingston KHX3466C16D4/8GX 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHAB 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link