RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,404.5
13.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
104
Wokół strony -352% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
23
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
3011
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
AMD R534G1601U1S 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Mushkin 991586 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link