RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
Porównaj
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,201.1
12.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
74
Wokół strony -111% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
74
35
Prędkość odczytu, GB/s
4,178.4
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,201.1
12.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
508
2982
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMU64GX4M4A2666C16 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C16 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link