RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
10.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
69
Wokół strony -109% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.4
1,441.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
33
Prędkość odczytu, GB/s
3,325.1
10.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,441.2
8.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
525
2503
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Kingston 99U5471-012.A00 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link