RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
68
Wokół strony -84% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.9
1,702.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
68
37
Prędkość odczytu, GB/s
3,886.6
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,702.6
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
654
2804
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905598-039.A00G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905678-012.A00G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link