RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
Porównaj
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB vs A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.8
15.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
41
55
Wokół strony -34% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.1
13.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
55
41
Prędkość odczytu, GB/s
15.8
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
13.8
14.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2701
3006
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link