RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Porównaj
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB vs G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
33
Wokół strony 27% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
14.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.7
10.6
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
33
Prędkość odczytu, GB/s
14.9
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
10.6
11.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2196
2702
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Kingston 9965669-005.A01G 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link