RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
Porównaj
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
67
Wokół strony 43% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
8.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.9
15.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
67
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
8.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2283
1850
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
G Skill Intl F3-12800CL11-4GBSQ 4GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link