RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
Porównaj
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
45
Wokół strony -50% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.5
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.7
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
30
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1992
3205
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link