RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Porównaj
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
45
Wokół strony -96% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.9
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
23
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
12.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1992
2938
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB Porównanie pamięci RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9905630-039.A00G 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C18 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston KHX2666C15S4/16G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMR64GX4M8C3200C16 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9965589-013.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link