RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Porównaj
Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB vs G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
34
Wokół strony 9% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.5
6.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.0
3.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
8500
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
31
34
Prędkość odczytu, GB/s
6.6
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
3.6
17.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
17000
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
921
3697
Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB Porównanie pamięci RAM
AMD R534G1601U1S 4GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FR 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMWB8G1L2666A16W4 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Corsair CMW32GX4M4Z4000C18 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link