RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
Porównaj
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
48
Wokół strony -66% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.3
8.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.6
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
48
29
Prędkość odczytu, GB/s
8.9
18.3
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
14.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1420
3691
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingston 9965669-019.A00G 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
Kingston 9905584-015.A00LF 4GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link