RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
Porównaj
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
47
Wokół strony -96% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
11.9
9.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.3
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
24
Prędkość odczytu, GB/s
9.3
11.9
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
6.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1413
1218
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9965600-012.A01G 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905630-039.A00G 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Super Talent F24UB16GV 16GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link