RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Porównaj
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB vs Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
41
74
Wokół strony 45% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
7.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.9
13.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
74
Prędkość odczytu, GB/s
13.3
13.9
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
7.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2016
1679
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
AMD R7S48G2400U2S 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
Apacer Technology 78.D2GF2.4010B 16GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston 9905701-022.A00G 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link